Characteristic Temperature Estimation for GaN-Based Lasers

نویسندگان
چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

GaN-based surface-emitting lasers using high contrast grating

GaN-based surface-emitting lasers (SELs) using high contrast grating (HCG) with AlN/GaN distributed Bragg reflectors were reported. The laser device achieved a threshold energy density of about 0.56 mJ/cm and the lasing wavelength was at 393.6 nm with a high degree of polarization of 73% at room temperature. The resonant mode and polarization characteristics matched to the theoretical predictio...

متن کامل

channel estimation for mimo-ofdm systems

تخمین دقیق مشخصات کانال در سیستم های مخابراتی یک امر مهم محسوب می گردد. این امر به ویژه در کانال های بیسیم با ‏خاصیت فرکانس گزینی و زمان گزینی شدید، چالش بزرگی است. مقالات متعدد پر از روش های مبتکرانه ای برای طراحی و آنالیز ‏الگوریتم های تخمین کانال است که بیشتر آنها از روش های خاصی استفاده می کنند که یا دارای عملکرد خوب با پیچیدگی ‏محاسباتی بالا هستند و یا با عملکرد نه چندان خوب پیچیدگی پایینی...

Temperature Effect on THz Quantum Cascade Lasers

A simple semi-phenomenological model, which accurately predicts the dependence of thresholdcurrent for temperature of Resonant-phonon three well quantum cascade laser based on verticaltransitions is offered. We found that, the longitude optical phonon scattering of thermally excitedelectrons is the most important limiting factor for thermal performance of high frequency THz QCLs.In low frequenc...

متن کامل

Physics of high-power InGaN=GaN lasers

The authors analyse the performance and device physics of nitride laser diodes that exhibit the highest room-temperature continuous-wave output power. The analysis is based on advanced laser simulation. The laser model self-consistently combines band structure and freecarrier gain calculations with two-dimensional simulations of wave guiding, carrier transport and heat flux. Material parameters...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research

سال: 1999

ISSN: 1092-5783

DOI: 10.1557/s1092578300003021